近日,東芝高新材料公司(ToshiBA MATerials Co.,
Ltd.)與京瓷株式會社達成協(xié)議,決定針對氮化物陶瓷零部件的開發(fā)和制造展開全面合作。
近年來,鐵路及汽車領域的節(jié)能需求日益凸顯,在此背景下,導熱性和機械性能優(yōu)異且有助于節(jié)能降耗的氮化物陶瓷,作為功率半導體的散熱、絕緣部件材料備受業(yè)界關注。不僅如此,氮化物陶瓷還適用于半導體制造設備中,在半導體制造流程中的高溫條件下也能精準控制溫度,預計今后需求量將不斷增加。
兩家公司通過此次合作,將東芝高新材料擁有的氮化物陶瓷材料技術和京瓷的陶瓷特殊加工技術相結合,開發(fā)高散熱性的功率半導體零部件,以及在高溫下也能精準控制溫度的半導體制造設備用零部件等過去無法實現(xiàn)的高性能零部件,以提高市場競爭力。
兩家公司從2014年開始推進功率半導體及半導體制造設備用零部件的共同開發(fā),并且在試制品開發(fā)上取得了良好結果,據此,雙方決定正式開展業(yè)務合作。今后,雙方將通過設備投資及項目組人員編制,加速新產品開發(fā)及市場投放,同時,將積極尋找更多可產生協(xié)同效應的合作機會,共謀發(fā)展。