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（一）集成電路生產(chǎn)裝備

1

硅外延生產(chǎn)設(shè)備

臺(tái)

晶圓尺寸≥300mm；工藝溫度：1100~1500；片內(nèi)厚度均勻性≤2%；電阻率片內(nèi)均勻性≤3%；表面無滑移線；適用于不同規(guī)格襯底上N型、P型硅材料的外延生長

2

介質(zhì)刻蝕機(jī)

臺(tái)

晶圓尺寸≥300mm；刻蝕能力≥40:1；線寬≤14nm，控制精度：±2nm

3

高密度等離子刻蝕機(jī)

臺(tái)

晶圓尺寸≥300mm；刻蝕均勻性：±5%，線寬≤14nm，控制精度：±2nm；刻蝕材料為硅、金屬和化合物材料

4

光刻機(jī)

臺(tái)

（1）掃描式：光源波長 193nm，分辨率（CD）90nm，單機(jī)套刻（OVLSMO）15nm；在 90nm 線 條情況下，焦深 DOF≥0.3μm（密集線）、DOF≥0.2μm（孤立線），6.9nm 線條均勻性（CDU）≤10%； 滿足 200～300mm 半導(dǎo)體圓片多種工藝光刻需求

（2）分步重復(fù)投影式：滿足 200～300mm 導(dǎo)體圓片多種工藝光刻需求；線寬≤90nm

5

離子注入機(jī)

臺(tái)

（1）中束流離子注入機(jī)：晶圓尺寸≤300mm；單片注入模式，硅片傳輸效率≥450pcs/h；注入均勻性≤0.5%；注入重復(fù)性≤0.5%；能量范圍：2～900keV

（2）大束流離子注入機(jī)：晶圓尺寸≤300mm；單片注入模式，硅片傳輸效率≥450pcs/h；注入均勻性≤1%；注入重復(fù)性≤1%；能量范圍：200～50keV

（3）高能離子注入機(jī)：晶圓尺寸≤300mm；單片注入模式，硅片傳輸效率≥450pcs/h；注入均勻性 ≤0.5%；注入重復(fù)性≤0.5%；能量范圍：2～1500keV

6

原子層沉積設(shè)備（ALD）

臺(tái)

薄膜每層厚度≤10nm；厚度控制精度≤0.2nm；用于加工各種半導(dǎo)體和集成電路

7

化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）

臺(tái)

晶圓尺寸：200～300mm；uptime≥80%；銅拋光：表面均勻性≤5%，粗糙度≤5nm；介質(zhì)拋光：表面均勻性≤5%，粗糙度≤5nm

8

勻膠顯影機(jī)

臺(tái)

晶圓尺寸≥300mm；

（1）ArF TOK P6111；膜厚厚度：270nm；膜厚均勻性：3-Sigma，片內(nèi)均勻性≤1.6nm；片間均勻 性≤0.9nm；批間均勻性≤0.9nm

（2）KrF BARC：DUV 142；膜厚厚度：70nm、90nm；膜厚均勻性：3-Sigma，片內(nèi)均勻性≤0.9nm；片間均勻性≤0.6m；批間均勻性≤0.6nm

（3）I-Line PR：C7310；膜厚厚度：1210nm；膜厚均勻性：3-Sigma，片內(nèi)均勻性≤2.7nm；片間均勻性≤2.7nm；批間均勻性≤2.7nm

（二）片式元件生產(chǎn)設(shè)備

9

電子陶瓷薄膜流延機(jī)

臺(tái)

最高載帶傳送速度≥5000mm/min，最大涂膜寬度≥220mm；最高溫度≥120℃，溫控偏差:±4℃

10

多層陶瓷電容（MLCC）印刷機(jī)

臺(tái)

膜卷最大可安裝直徑≥500mm；最大印刷區(qū)域≥400mm*400mm；印刷工作臺(tái)表面與網(wǎng)框底面的平行度≤10μm；印刷工作臺(tái)表面與印刷投的平行度≤30μm；最大生產(chǎn)效率≥15張/分鐘

11

薄膜疊層機(jī)

臺(tái)

疊片尺寸≥225mm*225mm；圖像對位精度：±5μm；傳送方式：卷對卷

（三）其他電子專用設(shè)備

12

全自動(dòng)固化系統(tǒng)光纖高速拉絲裝備

臺(tái)

拉絲速度：2800~3000m/min；可拉光棒直徑：150~180mm；塔高≥28m；實(shí)現(xiàn)1t涂料連續(xù)使用

13

大尺寸光纖預(yù)制棒沉積設(shè)備

套

（1）VAD工藝：VAD沉積速率≥16g/min

（2）OVD工藝：OVD沉積速率≥150g/min

14

高端材料用高溫高真空燒結(jié)爐

臺(tái)

均溫區(qū)≥1000mm*2000mm，最高工作溫度≥2600℃；極限真空度≤1*10-4Pa

15

高處度低羥基石英玻璃沉積設(shè)備

套

沉積速率≥20g/min；燒結(jié)后玻璃化芯棒直徑≥300mm；金屬雜質(zhì)≤0.1ppm；羥基含量≤1ppm