中國電子元件行業(yè)協(xié)會
China Electronic Components Association
《自然》雜志近日在線發(fā)布的一項研究成果顯示，美國西北大學(xué)科學(xué)家開發(fā)了一種被稱為“記憶晶體管”的新型器件，能同時發(fā)揮存儲器和信息處理功能，運(yùn)行方式非常類似神經(jīng)元。
計算機(jī)有單獨(dú)的處理和存儲單元，而大腦使用神經(jīng)元來執(zhí)行這兩種功能。據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，憑借憶阻器和晶體管的組合特性，該新型器件包含多個端子，能像神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)那樣運(yùn)行。
這項研究是在美國標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院和國家科學(xué)基金會的支持下、2015年的工作成果基礎(chǔ)上開展的。團(tuán)隊使用單層二硫化鉬創(chuàng)建了一個三端門控可調(diào)憶阻器，以實現(xiàn)快速可靠的數(shù)字存儲器存儲。憶阻器是“記憶電阻器”的縮寫，它是一種電流電阻器，可以“記住”以前施加于其上的電壓。
現(xiàn)在，團(tuán)隊再次使用原子級薄的二硫化鉬和明確的晶界，讓其像木材纖維排列方式那樣，在材料內(nèi)排列成有序區(qū)域——晶粒，當(dāng)施加大電壓時，晶界促進(jìn)原子運(yùn)動，導(dǎo)致電阻變化。
由于二硫化鉬只有原子級那么薄，容易受到施加電場的影響，這種特性使其很容易被制成晶體管。研究人員解釋，與以往使用單個二硫化鉬薄片的憶阻器不同，新型記憶晶體管使用多個小片組成的連續(xù)多晶二硫化鉬薄膜，能夠在整個晶圓上實現(xiàn)從單個薄片器件擴(kuò)展到多個器件。
當(dāng)器件的長度大于單個晶體尺寸時，可以保證晶圓上每個器件都有晶界，因此大型器件陣列中可看到重復(fù)的、門控可調(diào)的憶阻響應(yīng)。新論文中，團(tuán)隊實現(xiàn)了一個七端子設(shè)備，其中一個端子可以控制其他六個端子之間的電流。這與大腦中的神經(jīng)元很相似，通常一個神經(jīng)元與多個其他神經(jīng)元相連。
目前，研究團(tuán)隊正努力使記憶晶體管更小、運(yùn)行速度更快，并計劃擴(kuò)大生產(chǎn)。他們認(rèn)為，記憶晶體管可以成為新神經(jīng)形態(tài)計算的基礎(chǔ)電路元件。
