中國電子元件行業(yè)協(xié)會
China Electronic Components Association
近日，英特爾憑借其內(nèi)部硅光子學技術(shù)的卓越實力，成功研發(fā)出了一款革命性的4Tbps雙向全集成光計算互連（OCI）芯片。
這款芯片不僅解決了人工智能基礎設施對帶寬的巨大需求，更為未來的可擴展性奠定了堅實基礎。
獨特優(yōu)勢，多個部件完美融合
據(jù)悉，這款OCI芯片集硅光子集成電路（PIC）、射頻通硅過孔（TSV）的電子IC以及可拆卸/可重復使用的光學連接器路徑于一身。
其獨特的設計，使得它能夠與下一代CPU、GPU、IPU以及其他高帶寬需求的片上系統(tǒng)（SOC）應用完美融合，共同構(gòu)建一個高效、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡。
英特爾表示，這一重大突破為提供多太比特的光連接鋪平了道路。與PCIe Gen6相比，OCI芯片的海岸線密度（由模塊安裝間距決定）提高了4倍以上，能源效率更是低于3PJ/Tit，延遲小于10ns (+TOF)，傳輸距離更是超過了100米。這一系列優(yōu)勢，使得OCI芯片在數(shù)據(jù)傳輸領域具有無可比擬的性能表現(xiàn)。
值得一提的是，英特爾首個OCI的實現(xiàn)便是一個與PCIe Gen5兼容的4Tbps雙向芯片。它能夠在10米以上的距離上支持64條32Gbps的數(shù)據(jù)傳輸，實現(xiàn)了8對光纖的并行工作，每對光纖攜帶8個DWDM波長。而該平臺的長遠目標更是高達32Tbps的小芯片，展現(xiàn)出令人矚目的發(fā)展?jié)摿Α?/p>
支持高達8Tbps的雙向應用
此外，當前模堆中的單個PIC能夠支持高達8Tbps的雙向應用，其通過集成DWDM激光陣列和光放大器實現(xiàn)了完整的光子子系統(tǒng)。
這種設計，不僅提供了比傳統(tǒng)InP激光器更高的可靠性數(shù)量級，還使得硅光子學芯片在晶圓級制造、老化和測試方面實現(xiàn)了真正的突破。這一突破，進一步轉(zhuǎn)化為子系統(tǒng)級的簡單性和可靠性提升，以及制造效率的顯著提高。
采用廣泛部署的標準單模光纖
更令人欣喜的是，英特爾的OCI芯片采用了廣泛部署的標準單模光纖（SMF-28），而不是市場上其他技術(shù)方法所需的偏振保持光纖（PMF）。
由于系統(tǒng)振動和纖維擺動會對PMF的性能和鏈路預算產(chǎn)生負面影響，因此很少在實際應用中部署。而這款OCI芯片的使用，無疑為數(shù)據(jù)傳輸帶來了更廣泛的適用性和更高的穩(wěn)定性。
近期，英特爾已重點推出展示其第一代OCI芯片與通過光纖實時運行數(shù)據(jù)的概念英特爾CPU共封裝模塊。這一展示，將向全球觀眾展示英特爾在光計算領域的領先實力和創(chuàng)新成果。
相信未來OCI芯片將在人工智能基礎設施領域發(fā)揮更加重要的作用，引領整個行業(yè)邁向新的發(fā)展階段。
制芯“利器”：全球最先進EUV光刻系統(tǒng)
值得注意的是，近期，英特爾代工廠在俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)基地還完成了業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑（NA）極紫外（EUV）光刻掃描儀的組裝，這是先進半導體制造領域的一個重要里程碑。
英特爾公司表示，該機器通過改變用于將打印圖像投影到硅晶圓上的光學設計，極大地提高了下一代芯片的分辨率和功能擴展。
高數(shù)值孔徑（NA） EUV設備，將在先進芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關鍵作用。英特爾晶圓代工廠是業(yè)界在高NA EUV領域的先行者，將能夠在芯片制造中提供前所未有的精度和可擴展性，使公司能夠開發(fā)具有最具創(chuàng)新性特征和功能的芯片，這對推動人工智能和其他新興技術(shù)的進步至關重要，預計對集成光計算互連芯片等相關領域的進展也將產(chǎn)生一定的助力。
