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長光辰芯發(fā)布GL系列最新產(chǎn)品,適用于點激光位移傳感器
來源:電子元件技術(shù)  瀏覽次數(shù):595  發(fā)布時間:2024-07-04

長光辰芯發(fā)布全新系列芯片——GLR1205BSI-S。GLR是長光辰芯線陣芯片GL中的全新子系列,是基于長方形像素尺寸設(shè)計的線陣圖像傳感器。GLR1205BSI-S作為該系列的首款產(chǎn)品,將助力長光辰芯開辟更多應(yīng)用領(lǐng)域,例如點激光位移傳感器,光譜測量,光學相干斷層掃描(OCT)等。GLR系列會陸續(xù)推出更多產(chǎn)品以滿足多樣化的市場需求。

GLR1205BSI-S像素尺寸為12.5μm(H) x 250μm(V),分辨率512(H) x 1(V)。具備高滿阱、高靈敏度、高量子效率、小尺寸等特點。憑借先進的背照式工藝,GLR1205BSI-S在650nm波長下可提供近50%的量子效率,以及95%的峰值量子效率,為點激光位移傳感器提供了理想的解決方案,適用于精密零部件測量、薄膜厚度測量、汽車制造、食品加工等各類制造業(yè)中。如下所示為GLR1205BSI-S芯片在200nm—1100nm的量子效率曲線。

憑借250μm(V)的大像素尺寸,不僅為芯片提供了高達3000ke-的滿阱容量和64.7dB的最大信噪比, 也提升了芯片感光靈敏度,以便于用戶在設(shè)備裝調(diào)時進行光斑對準。得益于創(chuàng)新的像素設(shè)計,GLR1205BSI-S具備僅2.5μs電荷轉(zhuǎn)移時間,用戶無需擔心lag性能。

上述優(yōu)勢使其能夠用于各種光照條件下的測量場景,實現(xiàn)被測物表面的精準探測,提高設(shè)備的測試準確度和精度,提升測量效率。

芯片采用模擬信號輸出,用戶可以基于MCU模塊進行圖像數(shù)據(jù)處理。芯片全速運行狀態(tài)下提供9.43kHz行頻,而功耗僅為90mW,芯片發(fā)熱量小,可穩(wěn)定進行長時間測試工作。

芯片封裝采用緊湊的CSP形式,封裝尺寸僅為7.39mm x 1.15mm,相較于市面同類型產(chǎn)品尺寸更小,有利于用戶產(chǎn)品體積的進一步小型化,降低整體設(shè)備成本,靈活使用于各個測量場景中。