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2024年8月15日，長(zhǎng)光辰芯發(fā)布時(shí)間延遲積分（TDI）CMOS圖像傳感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增強(qiáng)版本。產(chǎn)品采用先進(jìn)的背照式技術(shù)，在GLT5009BSI可見光版本的基礎(chǔ)上，DUV版本極大提升了UV范圍的靈敏度，結(jié)合GLT5009BSI固有的高分辨率、高靈敏度、高動(dòng)態(tài)范圍、寬光譜響應(yīng)、低噪聲等優(yōu)異性能，DUV版本的應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)一步得到拓展，為半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測(cè)、半導(dǎo)體材料缺陷檢測(cè)等應(yīng)用提供更高效率、精準(zhǔn)的檢測(cè)支持。

目前，在半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)系統(tǒng)中大多使用266nm的激光器。為了應(yīng)對(duì)266nm下的晶圓檢測(cè)需求，長(zhǎng)光辰芯在GLT5009BSI可見光版本的基礎(chǔ)上，通過優(yōu)化晶圓表面像素層ARC膜系的結(jié)構(gòu)，提升TDI傳感器在DUV譜段的響應(yīng)，使其在266nm波段的量子效率可達(dá)50%以上。GLT5009BSI-DUV版本的芯片，不僅其極高的行頻保證了檢測(cè)效率，同時(shí)也使得檢測(cè)系統(tǒng)具有更高的靈敏度。

DUV版本與可見光版本一樣，采用5μm像素設(shè)計(jì)，水平分辨率為9072像素，芯片具有兩個(gè)積分譜段，其TDI積分級(jí)數(shù)分別為256級(jí)和32級(jí)，用戶可以根據(jù)其使用要求進(jìn)行選擇。GLT5009BSI-DUV具有16ke-的滿阱以及6e-的讀出噪聲，其單幅動(dòng)態(tài)范圍達(dá)68dB，該芯片也可同時(shí)輸出兩個(gè)譜段進(jìn)行高動(dòng)態(tài)合成，進(jìn)一步提升動(dòng)態(tài)范圍。該芯片還針對(duì)強(qiáng)光溢出問題進(jìn)行了優(yōu)化，其抗光暈?zāi)芰蛇_(dá)到100x。

GLT5009BSI-DUV版本保持了可見光版本的高行頻特性，芯片最高可以輸出608kHz@10bit以及300kHz@12bit的行頻，芯片還支持片上2x2像素合并，在不損失行頻的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升靈敏度。

GLT5009BSI-DUV版本封裝信息與可見光版本相同，在可見光版本的基礎(chǔ)上， 用戶無(wú)需改變?nèi)魏斡布蛙浖O(shè)計(jì)，即可快速集成DUV版本的芯片。DUV產(chǎn)品即日起接受訂購(gòu)。