2024年12月2日,長(zhǎng)光辰芯(Gpixel)重磅發(fā)布兩款高速、高靈敏度、背照式CMOS TDI圖像傳感器——GLT5008BSI/GLT5016BSI。此兩款產(chǎn)品采用更優(yōu)化的設(shè)計(jì),具有更高的行頻、更高量子效率,更好的片上集成度,更加匹配半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)、FPD檢測(cè)、高通量基因測(cè)序、生物熒光成像等行業(yè)的應(yīng)用需求。
8K/16K背照式 CMOS TDI 圖像傳感器
1M Hz高行頻,更高數(shù)據(jù)吞吐量
助力高端儀器產(chǎn)業(yè)升級(jí)
GLT5008BSI和GLT5016BSI基于相同的架構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì),采用5um的電荷域TDI像素設(shè)計(jì),片上集成兩個(gè)譜段,積分級(jí)數(shù)分別為256級(jí)+32級(jí)。GLT5008BSI有效分辨率為8208像素,支持10bit和12bit ADC輸出,最高行頻分別可達(dá)1M Hz和500k Hz。GLT5016BSI有效分辨率為16416像素,其最高行頻可達(dá)到500k Hz。兩款產(chǎn)品最高輸出數(shù)據(jù)率分別為86.4Gbps 和103.7Gbps, 均可采用100GiGE相機(jī)接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。兩款產(chǎn)品均面向下一代更高通量、更高檢出率的基因測(cè)序、半導(dǎo)體檢測(cè)、屏幕檢測(cè)等應(yīng)用而開(kāi)發(fā),助力高端儀器裝備行業(yè)產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
更低讀出噪聲,更高靈敏度
為弱光成像提供解決方案
在高速成像中,往往積分時(shí)間都較短,在單位時(shí)間內(nèi)捕捉到的信號(hào)有限,導(dǎo)致最終圖像信噪比較差,無(wú)法滿足用戶(hù)在弱光下的需求,因此TDI圖像傳感器也成為了此類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景的理想解決方案。
GLT5008BSI/GLT5016BSI通過(guò)采用片上256級(jí)TDI積分設(shè)計(jì)進(jìn)行信號(hào)累積,提升靈敏度。另外兩款產(chǎn)品均采用了低噪聲的像素設(shè)計(jì)和電路設(shè)計(jì),其最小讀出噪聲低于7.7e-,最高動(dòng)態(tài)范圍66dB。通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),使其具有更強(qiáng)的anti-blooming能力以及大于0.99996的電荷轉(zhuǎn)移效率(CTE)。以上特性,使得兩款產(chǎn)品在全速工作下獲得更高的信噪比。
定制化ARC,更寬光譜響應(yīng)
賦能各行各業(yè)
根據(jù)被檢測(cè)目標(biāo)的不同特征,往往使用的照明光源或者激發(fā)光源的譜段均不相同,如在半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)中,其最常用光源為紫外光源,以193nm、266nm為典型波長(zhǎng)。在基因測(cè)序中,不同堿基在不同激發(fā)光下的發(fā)射波長(zhǎng)不同,其光譜范圍可涵蓋從可見(jiàn)光到近紅外,因此無(wú)法使用一種完全相同的ARC設(shè)計(jì)來(lái)滿足不同的應(yīng)用要求。
GLT5008BSI/GLT5016BSI根據(jù)不同應(yīng)用進(jìn)行ARC優(yōu)化設(shè)計(jì),分別為紫外譜段優(yōu)化設(shè)計(jì)(UV)以及可見(jiàn)光優(yōu)化設(shè)計(jì)(VIS)。在UV版本下,其在300nm以下的峰值量子效率可達(dá)80%以上;在266nm下,其量子效率可到65%以上;在VIS版本下,峰值量子效率可高達(dá)92.4% @ 440nm。此外,除以上兩種ARC外,也可根據(jù)用戶(hù)需求,提供不同譜段ARC定制服務(wù)。
GLT5008BSI和GLT5016BSI采用了片上時(shí)序設(shè)計(jì),進(jìn)一步簡(jiǎn)化了相機(jī)設(shè)計(jì),且最高功耗僅為4.2W(1M Hz)/6.4W,結(jié)合定制化的陶瓷封裝,使其具有更好的可靠性和散熱性。 GLT5008BSI
GLT5016BSI