在5G通信、HDMI 2.1(48Gbps)及USB4(40Gbps)高速接口普及的當(dāng)下,傳統(tǒng)ESD防護器件因 插入損耗高、封裝體積大 成為信號完整性的瓶頸。強茂電子推出第二代ESD保護二極管系列,以 0.09pF結(jié)電容、-0.25dB@15GHz插入損耗 及 0.6mm×0.3mm微型封裝 ,直擊消費電子與通信設(shè)備的防護痛點,重新定義高速信號保護的技術(shù)邊界。
1. 高頻無損傳輸技術(shù):
● 采用梯度摻雜工藝優(yōu)化PN結(jié)結(jié)構(gòu),15GHz頻段下插入損耗僅-0.25dB,較上一代降低40%;
● 動態(tài)阻抗低至0.2Ω(@8kV),響應(yīng)時間<0.5ns。
2. 微型封裝工藝:
● DFN0603-2L封裝體積0.6mm3,較傳統(tǒng)SOD-323縮小70%,適配可穿戴設(shè)備內(nèi)部緊湊空間;
● 銅柱凸點焊接技術(shù)提升散熱能力,功率密度達5W/mm2。
3. 多通道集成設(shè)計:
● DFN2510A-10L通過3D堆疊實現(xiàn)10路獨立防護,支持PCIe 5.0/USB4多協(xié)議共存;
● 集成自恢復(fù)功能,可承受1000次8kV ESD沖擊。
強茂ESD 2.0系列通過 “高頻性能+微型化”雙引擎 ,解決三大產(chǎn)業(yè)難題:
● 信號完整性:HDMI 2.1實現(xiàn)8K@120Hz零畫質(zhì)損失;
● 空間利用率:TWS耳機PCB節(jié)省50%防護器件面積;
● BOM成本:Type-C接口防護方案成本降低60%。
1. 高頻損耗與防護效能矛盾:
● 問題:降低結(jié)電容會削弱ESD泄放能力;
● 方案:采用多級PN結(jié)串聯(lián)結(jié)構(gòu),在0.09pF電容下實現(xiàn)8kV防護等級。
2. 微型封裝熱失效風(fēng)險:
● 問題:0.6mm封裝散熱面積不足導(dǎo)致熱積累;
● 方案:納米銀膠封裝材料將熱阻降至10℃/W。
● 消費電子:智能手機攝像頭模組(防護CMOS傳感器,失效率<10ppm);
● 通信設(shè)備:5G毫米波基站AAU單元(支持28GHz頻段,插損<-0.3dB);
● 工業(yè)自動化:千兆以太網(wǎng)PHY芯片防護(滿足IEC 61000-4-5 Level 4)。