中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)
China Electronic Components Association
AOS推出的AOTL66935采用自主研發(fā)的100V AlphaSGT? MOSFET技術(shù)，通過溝槽工藝實(shí)現(xiàn)1.95mΩ超低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），同時(shí)結(jié)合寬范圍安全工作區(qū)（SOA）設(shè)計(jì)，顯著提升器件在48V熱插拔場景下的峰值電流承載能力與可靠性。該技術(shù)有效抑制浪涌電流沖擊，降低系統(tǒng)并聯(lián)器件需求，簡化電源拓?fù)洹?/span>
產(chǎn)品功能：性能與封裝雙優(yōu)化
● 電氣性能：支持最大連續(xù)漏極電流360A（25℃），瞬態(tài)電流達(dá)1440A，適用于高浪涌場景2。
● 封裝創(chuàng)新：采用TO-Leadless（TOLL）封裝，占板面積較傳統(tǒng)D2PAK封裝縮小30%，兼容自動(dòng)化光學(xué)檢測（AOI），并計(jì)劃推出更緊湊的LFPAK8x8封裝。
● 認(rèn)證與可靠性：生產(chǎn)工廠通過IATF 16949認(rèn)證，確保車規(guī)級(jí)品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)。
AI服務(wù)器中的 48V 熱插拔應(yīng)用需要 MOSFET 兼具大電流處理能力，同時(shí)還要提供卓越的 SOA 穩(wěn)健性和高可靠性。我們推出的AOTL66935 正是針對(duì)這些嚴(yán)苛的應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，其低導(dǎo)通電阻不僅能降低功率損耗，還可減少并聯(lián)器件數(shù)量。
行業(yè)價(jià)值：破解高密度電源設(shè)計(jì)痛點(diǎn)
● 能效提升：低導(dǎo)通電阻減少功率損耗，系統(tǒng)能效提升5%-8%，助力AI服務(wù)器降低運(yùn)營成本。
● 空間壓縮：TOLL封裝節(jié)省30%PCB面積，適配高密度電源模塊設(shè)計(jì)。
● 可靠性增強(qiáng)：寬SOA特性支持嚴(yán)苛工況下長期穩(wěn)定運(yùn)行，MTBF提升至10萬小時(shí)以上。
技術(shù)難題與解決方案
● 浪涌電流沖擊：通過優(yōu)化柵極結(jié)構(gòu)和SOA設(shè)計(jì)，限制瞬態(tài)電流峰值，減少并聯(lián)器件數(shù)量。
● 散熱瓶頸：TOLL封裝采用頂部散熱路徑設(shè)計(jì)，降低FR4基板的熱阻，溫升控制＜25℃。
● 制造一致性：溝槽工藝結(jié)合AOI檢測技術(shù)，確保器件良率與批次穩(wěn)定性。
應(yīng)用場景與市場前景
● 核心場景：AI服務(wù)器48V熱插拔、通信基站電源、工業(yè)設(shè)備緩啟動(dòng)模塊。
● 市場預(yù)測：2025年服務(wù)器電源MOSFET市場規(guī)模將超20億美元，高可靠性器件需求年增12%。
未來展望：封裝與材料雙線迭代
AOS計(jì)劃基于AlphaSGT?技術(shù)推出LFPAK8x8封裝產(chǎn)品，進(jìn)一步縮小體積并提升散熱效率。同時(shí)，探索碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）材料的集成應(yīng)用，目標(biāo)將耐壓等級(jí)提升至1200V，適配新能源與智能電網(wǎng)領(lǐng)域。
