氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)市場增長如火如荼。TrendForce預(yù)測,到2021年,GaN功率半導(dǎo)體市場將同比增長91%至6,100萬美元,而SiC功率半導(dǎo)體市場將同比增長32%至6.8億美元。占GaN和SiC半導(dǎo)體需求大部分的5G基站RF和逆變器市場隨著5G投資的增加而迅速增長。
小米,OPPO和Vivo等智能手機(jī)制造商已開始在其充電器中安裝GaN晶體管。將來,如果筆記本電腦制造商和主要的智能手機(jī)制造商(如Apple)也將GaN晶體管應(yīng)用于其充電器,則市場增長將加速。目前,臺積電等代工企業(yè)主要使用6英寸晶圓來制造GaN器件;但是,我們希望它們將來會轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。
電動汽車,太陽能,快速充電器等的需求回升
SiC功率半導(dǎo)體越來越多地用于DC / DC轉(zhuǎn)換,車載充電,工業(yè)功率因數(shù)校正,AC / DC轉(zhuǎn)換和太陽能逆變器。盡管特斯拉已經(jīng)在其逆變器中采用了SiC半導(dǎo)體,但后來者的采用正在加速增長,例如,現(xiàn)代汽車公司最近開始在其E-GMP(EV平臺)中采用SiC半導(dǎo)體。
GaN和SiC半導(dǎo)體的帶隙比傳統(tǒng)半導(dǎo)體的帶隙寬3倍以上,因此它們可以承受10倍的高電壓。GaN和4H-SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV,而Si為1.1 eV。相關(guān)公司包括Cree,Veeco,意法半導(dǎo)體和Rohm,以及韓國的RFHIC,Metal Life和YesT。