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氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）市場增長如火如荼。TrendForce預(yù)測，到2021年，GaN功率半導(dǎo)體市場將同比增長91％至6,100萬美元，而SiC功率半導(dǎo)體市場將同比增長32％至6.8億美元。占GaN和SiC半導(dǎo)體需求大部分的5G基站RF和逆變器市場隨著5G投資的增加而迅速增長。

小米，OPPO和Vivo等智能手機(jī)制造商已開始在其充電器中安裝GaN晶體管。將來，如果筆記本電腦制造商和主要的智能手機(jī)制造商（如Apple）也將GaN晶體管應(yīng)用于其充電器，則市場增長將加速。目前，臺積電等代工企業(yè)主要使用6英寸晶圓來制造GaN器件；但是，我們希望它們將來會轉(zhuǎn)換為8英寸晶圓。

電動汽車，太陽能，快速充電器等的需求回升

SiC功率半導(dǎo)體越來越多地用于DC / DC轉(zhuǎn)換，車載充電，工業(yè)功率因數(shù)校正，AC / DC轉(zhuǎn)換和太陽能逆變器。盡管特斯拉已經(jīng)在其逆變器中采用了SiC半導(dǎo)體，但后來者的采用正在加速增長，例如，現(xiàn)代汽車公司最近開始在其E-GMP（EV平臺）中采用SiC半導(dǎo)體。

GaN和SiC半導(dǎo)體的帶隙比傳統(tǒng)半導(dǎo)體的帶隙寬3倍以上，因此它們可以承受10倍的高電壓。GaN和4H-SiC的帶隙分別為3.4 eV和3.2 eV，而Si為1.1 eV。相關(guān)公司包括Cree，Veeco，意法半導(dǎo)體和Rohm，以及韓國的RFHIC，Metal Life和YesT。